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中低压MOS（MetalOxideSemiconductor）是一种常见的半导体器件，常用于电子设备和电路中的开关、整流和滤波等应用。它由两个极性相反的电极组成：一个P型导电层和一个N+衬底或漏体级联而成的一个高阻抗结区形成“MO”结构，“S”，平面mos批发，“O”，再加上绝缘硅氧化物构成它的基础架构；“SOI”（单晶硅氧基片），即称为“D-SiOn”。在中压/低电压范围(150V到400V)内工作的功率场效应晶体管也被称为MESFET(Metal-ElectrodeSuperjunctionDiodeTransistor)。它是P型沟槽栅fet的一种改进形式，是在ntypeSi上用湿法掺杂多子扩散工艺制作深p_type阱阱陷阱及在p?i?nHEMT的ilayer中增加一层超浅耗尽型的trenchFET，平面mos介绍，同时保留了H华FET高速度的特点，又具备肖特兹替尔FET高的耐量电流能力。

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