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半电流IGBT图片

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半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件，捷捷IGBT图片，具有较高的开通能力。它由一个P型门极和N型基区组成，捷捷IGBT设计思路，并在其上形成多个二维子结（JT结构）。当施加一定的工作电压时，载流子在JTP区域的源区和漏区的电场中加速聚集并撞击漂移通道中的中性原子，使其获得足够的动能而离开该区域；这样就在PNPNPN中建立了正反馈作用下的自激导电振荡过程。

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